DTC114EUAT106
Verfügbare Menge
82 000
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
ROHM
Mpn
DTC114EUAT106
Datenblatt
Beschreibung
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3
Technische Daten: DTC114EUAT106
REACH SVHC
Yes
RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
Radiation Hardening
No
Case/Package
SC
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Number of Terminals
3
Lifecycle Status
NRND (Last Updated: 3 weeks ago)
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
200 mW
Number of Elements
1
Transition Frequency
250 MHz
Voltage Rating (DC)
50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)
50 V
Max Output Current
100 mA
Operating Supply Voltage
50 V
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
Current Rating
50 mA
Max Breakdown Voltage
50 V
Min Operating Temperature
-55 °C
Nominal Supply Voltage (DC)
50 V
Packaging
Tape and Reel
Power Dissipation
200 mW
Continuous Collector Current
50 mA
Element Configuration
Single
hFE Min
30
Max Collector Current
100 mA
Polarity
NPN
Andere Komponenten von ROHM
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