DTC114EUAT106
Verfügbare Menge
82 000
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
Österreich
Marke
ROHM
Mpn
DTC114EUAT106
Datenblatt
Beschreibung
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3
Technische Daten: DTC114EUAT106
RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
Radiation Hardening
No
hFE Min
30
Polarity
NPN
Packaging
Tape and Reel
Current Rating
50 mA
Power Dissipation
200 mW
Max Output Current
100 mA
Voltage Rating (DC)
50 V
Transition Frequency
250 MHz
Element Configuration
Single
Max Breakdown Voltage
50 V
Max Collector Current
100 mA
Max Power Dissipation
200 mW
Operating Supply Voltage
50 V
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-55 °C
Nominal Supply Voltage (DC)
50 V
Continuous Collector Current
50 mA
Collector Emitter Voltage (VCEO)
300 mV
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
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