SMMUN2111LT1G
Verfügbare Menge
6 000
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
onsemi
Mpn
SMMUN2111LT1G
Datenblatt
Beschreibung
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Technische Daten: SMMUN2111LT1G
China RoHS
Compliant
Halogen Free
Halogen Free
Lead Free
Lead Free
Radiation Hardening
No
REACH SVHC
Yes
RoHS
Compliant
Length
3.04 mm
Width
1.4 mm
Height
1.01 mm
Number of Terminals
3
Case/Package
SOT-23-3
Number of Pins
3
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 years ago)
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 4 years ago)
Element Configuration
Single
Max Power Dissipation
400 mW
Collector Emitter Voltage (VCEO)
50 V
Collector Base Voltage (VCBO)
50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
Max Breakdown Voltage
50 V
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-55 °C
Packaging
Tape and Reel
Polarity
PNP
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
hFE Min
35
Max Collector Current
100 mA
Number of Elements
1
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