SBC817-40LT1G
Verfügbare Menge
56 495
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
Österreich
Marke
onsemi
Mpn
SBC817-40LT1G
Datenblatt
Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 500 mA 100MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Technische Daten: SBC817-40LT1G
RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
REACH SVHC
No SVHC
Halogen Free
Halogen Free
Radiation Hardening
No
Polarity
NPN
Frequency
100 MHz
Packaging
Digi-Reel®
Max Frequency
100 MHz
Power Dissipation
300 mW
Number of Elements
1
Transition Frequency
100 MHz
Element Configuration
Single
Max Breakdown Voltage
45 V
Max Collector Current
500 mA
Max Power Dissipation
300 mW
Gain Bandwidth Product
100 MHz
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-55 °C
Emitter Base Voltage (VEBO)
5 V
Collector Base Voltage (VCBO)
50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)
45 V
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
Collector Emitter Saturation Voltage
700 mV
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