MMBTA42LT1G
Verfügbare Menge
11 255
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fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
onsemi
Mpn
MMBTA42LT1G
Datenblatt
Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Technische Daten: MMBTA42LT1G
REACH SVHC
Yes
RoHS
Compliant
China RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
Radiation Hardening
No
Width
1.397 mm
Height
1.016 mm
Length
3.0226 mm
Weight
4.535924 g
Case/Package
SOT-23-3
Contact Plating
Tin
Number of Pins
3
Number of Terminals
3
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 4 years ago)
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 years ago)
Transition Frequency
50 MHz
Voltage Rating (DC)
300 V
Collector Base Voltage (VCBO)
300 V
Collector Emitter Breakdown Voltage
300 V
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)
300 V
Current Rating
500 mA
Element Configuration
Single
Emitter Base Voltage (VEBO)
6 V
Frequency
50 MHz
Gain Bandwidth Product
50 MHz
hFE Min
40
Max Breakdown Voltage
300 V
Max Collector Current
500 mA
Max Frequency
50 MHz
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
300 mW
Min Operating Temperature
-55 °C
Number of Elements
1
Packaging
Tape and Reel
Polarity
NPN
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