MMBTA06LT1G
Verfügbare Menge
35,861
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
Österreich
Marke
onsemi
Mpn
MMBTA06LT1G
Datenblatt
Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA 100MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Technische Daten: MMBTA06LT1G
RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
REACH SVHC
No SVHC
Radiation Hardening
No
hFE Min
100
Polarity
NPN
Frequency
100 MHz
Packaging
Tape and Reel
Max Frequency
100 MHz
Current Rating
500 mA
Power Dissipation
300 mW
Number of Elements
1
Voltage Rating (DC)
80 V
Transition Frequency
100 MHz
Element Configuration
Single
Max Breakdown Voltage
80 V
Max Collector Current
500 mA
Max Power Dissipation
225 mW
Gain Bandwidth Product
100 MHz
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-55 °C
Emitter Base Voltage (VEBO)
4 V
Collector Base Voltage (VCBO)
80 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)
80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
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