MMBTA06LT1G
Verfügbare Menge
35 861
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fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
onsemi
Mpn
MMBTA06LT1G
Datenblatt
Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA 100MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Technische Daten: MMBTA06LT1G
China RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
Radiation Hardening
No
REACH SVHC
Yes
RoHS
Compliant
Height
1.016 mm
Length
3.0226 mm
Width
1.397 mm
Case/Package
SOT-23-3
Contact Plating
Tin
Number of Pins
3
Number of Terminals
3
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 4 years ago)
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 years ago)
Collector Base Voltage (VCBO)
80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)
80 V
Current Rating
500 mA
Element Configuration
Single
Emitter Base Voltage (VEBO)
4 V
Frequency
100 MHz
Gain Bandwidth Product
100 MHz
hFE Min
100
Max Breakdown Voltage
80 V
Max Collector Current
500 mA
Max Frequency
100 MHz
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
225 mW
Min Operating Temperature
-55 °C
Number of Elements
1
Packaging
Tape and Reel
Polarity
NPN
Transition Frequency
100 MHz
Voltage Rating (DC)
80 V
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