MMBT3906LT1G
Verfügbare Menge
40 759
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
onsemi
Mpn
MMBT3906LT1G
Datenblatt
Beschreibung
Single Bipolar Transistor, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, 3 Pin, Surface Mount
Technische Daten: MMBT3906LT1G
China RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
Radiation Hardening
No
REACH SVHC
Yes
RoHS
Compliant
Height
1.11 mm
Length
2.9 mm
Width
1.3 mm
Case/Package
SOT-23
Contact Plating
Tin
Number of Pins
3
Number of Terminals
3
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 4 years ago)
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 years ago)
Polarity
PNP
Collector Base Voltage (VCBO)
-40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage
-40 V
Collector Emitter Saturation Voltage
400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)
40 V
Current Rating
-200 mA
Element Configuration
Single
Emitter Base Voltage (VEBO)
-5 V
Frequency
250 MHz
Gain Bandwidth Product
250 MHz
hFE Min
30
Max Breakdown Voltage
40 V
Max Collector Current
200 mA
Max Frequency
250 MHz
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
300 mW
Min Operating Temperature
-65 °C
Number of Elements
1
Packaging
Tape and Reel
Power Dissipation
225 mW
Transition Frequency
250 MHz
Voltage Rating (DC)
-40 V
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