MMBT2222ALT1G
Verfügbare Menge
137,169
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
Österreich
Marke
onsemi
Mpn
MMBT2222ALT1G
Datenblatt
Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Technische Daten: MMBT2222ALT1G
RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
REACH SVHC
No SVHC
Radiation Hardening
No
Type
General Purpose
hFE Min
100
Polarity
NPN
Frequency
300 MHz
Packaging
Tape and Reel
Max Frequency
300 MHz
Current Rating
600 mA
Power Dissipation
225 mW
Number of Elements
1
Voltage Rating (DC)
40 V
Transition Frequency
300 MHz
Element Configuration
Single
Max Breakdown Voltage
40 V
Max Collector Current
600 mA
Max Power Dissipation
300 mW
Gain Bandwidth Product
300 MHz
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-55 °C
Emitter Base Voltage (VEBO)
6 V
Collector Base Voltage (VCBO)
75 V
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Collector Emitter Voltage (VCEO)
40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
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