MMBT2222ALT1G
Verfügbare Menge
137 169
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fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
onsemi
Mpn
MMBT2222ALT1G
Datenblatt
Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Technische Daten: MMBT2222ALT1G
China RoHS
Compliant
Radiation Hardening
No
REACH SVHC
Yes
RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
Length
2.9 mm
Width
1.3 mm
Height
1.11 mm
Contact Plating
Tin
Number of Pins
3
Case/Package
SOT-23
Number of Terminals
3
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 years ago)
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 4 years ago)
Min Operating Temperature
-55 °C
Collector Base Voltage (VCBO)
75 V
hFE Min
75
Max Breakdown Voltage
40 V
Max Collector Current
600 mA
Polarity
NPN
Voltage Rating (DC)
40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)
40 V
Current Rating
600 mA
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
300 mW
Packaging
Tape and Reel
Element Configuration
Single
Emitter Base Voltage (VEBO)
6 V
Max Frequency
300 MHz
Power Dissipation
225 mW
Type
General Purpose
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
Frequency
300 MHz
Gain Bandwidth Product
300 MHz
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Number of Elements
1
Transition Frequency
300 MHz
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