MMBT2222ALT1G
Verfügbare Menge
137 169
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fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
onsemi
Mpn
MMBT2222ALT1G
Datenblatt
Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Technische Daten: MMBT2222ALT1G
RoHS
Compliant
China RoHS
Compliant
Radiation Hardening
No
REACH SVHC
Yes
Lead Free
Lead Free
Width
1.3 mm
Height
1.11 mm
Length
2.9 mm
Contact Plating
Tin
Number of Pins
3
Case/Package
SOT-23
Number of Terminals
3
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 4 years ago)
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 years ago)
Collector Base Voltage (VCBO)
75 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)
40 V
Element Configuration
Single
Emitter Base Voltage (VEBO)
6 V
Gain Bandwidth Product
300 MHz
Max Collector Current
600 mA
Max Frequency
300 MHz
Min Operating Temperature
-55 °C
Number of Elements
1
Packaging
Tape and Reel
Polarity
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
Current Rating
600 mA
Type
General Purpose
Voltage Rating (DC)
40 V
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Power Dissipation
225 mW
Transition Frequency
300 MHz
Frequency
300 MHz
hFE Min
75
Max Breakdown Voltage
40 V
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
300 mW
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