FDS6692A
Verfügbare Menge
2 500
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
onsemi
Mpn
FDS6692A
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
Technische Daten: FDS6692A
China RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
Radiation Hardening
No
REACH SVHC
Yes
RoHS
Compliant
Height
1.575 mm
Length
4.9 mm
Width
3.9 mm
Case/Package
SOIC
Contact Plating
Tin
Mount
Surface Mount
Number of Pins
8
Number of Terminals
8
Weight
130 mg
Lifecycle Status
Obsolete (Last Updated: 1 year ago)
Manufacturer Lifecycle Status
OBSOLETE (Last Updated: 1 year ago)
Continuous Drain Current (ID)
9 A
Drain to Source Breakdown Voltage
30 V
Drain to Source Resistance
11.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Element Configuration
Single
Fall Time
32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
Input Capacitance
1.61 nF
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
1.47 W
Min Breakdown Voltage
30 V
Min Operating Temperature
-55 °C
Number of Elements
1
Power Dissipation
1.47 W
Rds On Max
11.5 mΩ
Resistance
11.5 MΩ
Rise Time
32 ns
Threshold Voltage
1.2 V
Turn-Off Delay Time
33 ns
Turn-On Delay Time
8 ns
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