FDMC86106LZ
Verfügbare Menge
90 000
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
onsemi
Mpn
FDMC86106LZ
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33
Technische Daten: FDMC86106LZ
RoHS
Compliant
Radiation Hardening
No
Height
800 µm
Width
3.3 mm
Length
3.3 mm
Contact Plating
Gold
Mount
Surface Mount
Number of Pins
8
Fall Time
1.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Number of Elements
1
Continuous Drain Current (ID)
3.3 A
Drain to Source Resistance
79 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Packaging
Digi-Reel®
Power Dissipation
2.3 W
Drain to Source Breakdown Voltage
100 V
Input Capacitance
310 pF
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-55 °C
Rds On Max
103 mΩ
Rise Time
1.3 ns
Max Power Dissipation
2.3 W
Number of Channels
1
Turn-Off Delay Time
10 ns
Turn-On Delay Time
4.5 ns
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