FDMC6679AZ
Verfügbare Menge
62 994
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fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
onsemi
Mpn
FDMC6679AZ
Beschreibung
P-MOSFET transistor FDMC6679AZ Fairchild; -30V;
Technische Daten: FDMC6679AZ
China RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
Radiation Hardening
No
REACH SVHC
Yes
RoHS
Compliant
Height
800 µm
Length
3.3 mm
Width
3.3 mm
Case/Package
TO-251-3
Contact Plating
Gold
Mount
Surface Mount
Number of Pins
8
Number of Terminals
5
Weight
165.33333 mg
Lifecycle Status
NRND (Last Updated: 4 years ago)
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 years ago)
Continuous Drain Current (ID)
11.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage
-30 V
Drain to Source Resistance
10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
Element Configuration
Single
Fall Time
46 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
Input Capacitance
3.97 nF
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
41 W
Min Breakdown Voltage
30 V
Min Operating Temperature
-55 °C
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Power Dissipation
2.3 W
Rds On Max
10 mΩ
Resistance
10 MΩ
Rise Time
14 ns
Threshold Voltage
-1.8 V
Turn-Off Delay Time
63 ns
Turn-On Delay Time
12 ns
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