ECH8693R-TL-W
Verfügbare Menge
3 000
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
onsemi
Mpn
ECH8693R-TL-W
Datenblatt
Beschreibung
Dual N-Channel Power MOSFET, 24V, 14A, 7mΩ
Technische Daten: ECH8693R-TL-W
China RoHS
Non-Compliant
Lead Free
Lead Free
Radiation Hardening
No
REACH SVHC
No
RoHS
Compliant
Height
950 µm
Case/Package
SMD/SMT
Contact Plating
Tin
Mount
Surface Mount
Number of Pins
8
Number of Terminals
8
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 4 years ago)
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 years ago)
Continuous Drain Current (ID)
14 A
Drain to Source Breakdown Voltage
24 V
Drain to Source Resistance
9.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)
24 V
Fall Time
22.2 µs
Gate to Source Voltage (Vgs)
12.5 V
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
1.4 W
Min Breakdown Voltage
24 V
Min Operating Temperature
-55 °C
Number of Channels
2
Number of Elements
2
Packaging
Tape & Reel
Power Dissipation
1.4 W
Rds On Max
7 mΩ
Rise Time
525 ns
Turn-Off Delay Time
18.65 µs
Turn-On Delay Time
545 ns
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