BC848BLT1
Verfügbare Menge
21 000
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
onsemi
Mpn
BC848BLT1
Datenblatt
Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 100MHz
Technische Daten: BC848BLT1
China RoHS
Non-Compliant
Lead Free
Contains Lead
REACH SVHC
No
RoHS
Compliant
Case/Package
SOT-23-3
Number of Pins
3
Number of Terminals
3
Lifecycle Status
Obsolete (Last Updated: 4 years ago)
Manufacturer Lifecycle Status
OBSOLETE (Last Updated: 4 years ago)
Collector Base Voltage (VCBO)
30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)
30 V
Current Rating
100 mA
Element Configuration
Single
Emitter Base Voltage (VEBO)
5 V
Frequency
100 MHz
Gain Bandwidth Product
100 MHz
hFE Min
200
Max Collector Current
100 mA
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
225 mW
Min Operating Temperature
-55 °C
Number of Elements
1
Packaging
Tape and Reel
Polarity
NPN
Power Dissipation
300 mW
Transition Frequency
100 MHz
Voltage Rating (DC)
30 V
Andere Komponenten von onsemi
Unsere Web-Plattform unterstützt OEM- und EMS-Unternehmen dabei, ihre überschüssigen Lagerbestände weltweit zu verkaufen und gleichzeitig den potenziellen Käufern beste Preise und Qualität zu bieten.
AT/USDSupport
Support
Go green
Go green
AT/USD