BAV99LT1G
Verfügbare Menge
75,548
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
Österreich
Marke
onsemi
Mpn
BAV99LT1G
Datenblatt
Beschreibung
DUAL SERIES SWITCHING DIODE Rectifier Diode, 2 Element, 0.215A, 100V V(RRM), Silicon, TO-236
Technische Daten: BAV99LT1G
RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
REACH SVHC
No SVHC
Radiation Hardening
No
Packaging
Cut Tape
Capacitance
1.5 pF
Recovery Time
6 ns
Current Rating
200 mA
Forward Current
150 mA
Forward Voltage
1.25 V
Reverse Voltage
100 V
Max Surge Current
2 A
Power Dissipation
225 mW
Voltage Rating (DC)
70 V
Peak Reverse Current
1 µA
Element Configuration
Dual
Reverse Recovery Time
6 ns
Max Reverse Voltage (DC)
70 V
Average Rectified Current
215 mA
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-65 °C
Max Reverse Leakage Current
2.4 µA
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Max Forward Surge Current (Ifsm)
500 mA
Peak Non-Repetitive Surge Current
2 A
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)
70 V
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