2SB1204S-TL-E
Verfügbare Menge
1 454
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fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
onsemi
Mpn
2SB1204S-TL-E
Datenblatt
Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 8 A 130MHz 1 W Surface Mount TP-FA
Technische Daten: 2SB1204S-TL-E
Radiation Hardening
No
RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
REACH SVHC
No
Width
5.5 mm
Height
2.3 mm
Length
6.5 mm
Case/Package
DPAK
Number of Terminals
2
Contact Plating
Tin Bismuth
Number of Pins
3
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 4 years ago)
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 years ago)
Element Configuration
Single
Emitter Base Voltage (VEBO)
6 V
Frequency
130 MHz
Max Breakdown Voltage
50 V
Max Frequency
130 MHz
Power Dissipation
1 W
Transition Frequency
130 MHz
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
Max Collector Current
8 A
Max Operating Temperature
150 °C
Polarity
PNP
Collector Emitter Saturation Voltage
-500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)
50 V
Gain Bandwidth Product
130 MHz
Max Power Dissipation
20 W
Min Operating Temperature
-55 °C
Collector Base Voltage (VCBO)
60 V
hFE Min
140
Number of Elements
1
Packaging
Tape and Reel
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