CSD19538Q3A
Verfügbare Menge
1 096
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fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
Texas Instruments
Mpn
CSD19538Q3A
Beschreibung
100-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 61 mOhm 8-VSONP -55 to 150
Technische Daten: CSD19538Q3A
Lead Free
Lead Free
RoHS
Compliant
Height
900 µm
Length
3.3 mm
Thickness
800 µm
Width
3.3 mm
Mount
Surface Mount
Number of Pins
8
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 2 months ago)
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 months ago)
Continuous Drain Current (ID)
4.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage
100 V
Drain to Source Resistance
49 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Element Configuration
Single
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
Input Capacitance
454 pF
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
2.8 W
Min Operating Temperature
-55 °C
Number of Channels
1
Power Dissipation
2.8 W
Rds On Max
59 mΩ
Turn-Off Delay Time
7 ns
Turn-On Delay Time
5 ns
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