CSD19534Q5A
Verfügbare Menge
115
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fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
Texas Instruments
Mpn
CSD19534Q5A
Beschreibung
100-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 15.1 mOhm 8-VSONP -55 to 150
Technische Daten: CSD19534Q5A
RoHS
Compliant
Lead Free
Contains Lead
Height
1.1 mm
Width
6 mm
Thickness
1 mm
Length
4.9 mm
Contact Plating
Tin
Mount
Surface Mount
Number of Pins
8
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 months ago)
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 2 months ago)
Drain to Source Resistance
12.6 mΩ
Fall Time
6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
Max Operating Temperature
150 °C
Power Dissipation
3.2 W
Continuous Drain Current (ID)
10 A
Drain to Source Breakdown Voltage
100 V
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Rds On Max
15.1 mΩ
Min Operating Temperature
-55 °C
Number of Channels
1
Rise Time
14 ns
Turn-Off Delay Time
20 ns
Element Configuration
Single
Input Capacitance
1.68 nF
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Max Power Dissipation
3.2 W
Packaging
Tape & Reel (TR)
Turn-On Delay Time
9 ns
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