BAS316
Verfügbare Menge
756
Versand möglich
Marke
NXP Semiconductors
Mpn
BAS316
Datenblatt
Beschreibung
HIGH-SPEED SWITCHING DIODE Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon
Technische Daten: BAS316
RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
REACH SVHC
No SVHC
Current
25 A
Voltage
100 V
Forward Current
250 mA
Forward Voltage
1.25 V
Peak Reverse Current
50 µA
Element Configuration
Single
Max Power Dissipation
400 mW
Reverse Recovery Time
4 ns
Max Reverse Voltage (DC)
100 V
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-65 °C
Max Forward Surge Current (Ifsm)
4 A
Peak Non-Repetitive Surge Current
4 A
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)
100 V
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