PSMN009-100P
Verfügbare Menge
47
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fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
NXP Semiconductors
Mpn
PSMN009-100P
Datenblatt
Beschreibung
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Technische Daten: PSMN009-100P
China RoHS
Non-Compliant
Lead Free
Lead Free
REACH SVHC
No
RoHS
Compliant
Case/Package
TO-220AB
Contact Plating
Tin
Number of Pins
3
Number of Terminals
3
Lifecycle Status
Obsolete (Last Updated: 4 months ago)
Continuous Drain Current (ID)
75 A
Current Rating
75 A
Drain to Source Breakdown Voltage
100 V
Drain to Source Resistance
8.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Element Configuration
Single
Fall Time
43 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
Input Capacitance
8.25 nF
Max Operating Temperature
175 °C
Max Power Dissipation
230 W
Min Breakdown Voltage
100 V
Min Operating Temperature
-55 °C
Number of Elements
1
Power Dissipation
230 W
Rise Time
59 ns
Threshold Voltage
3 V
Turn-Off Delay Time
120 ns
Voltage Rating (DC)
100 V
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