SI1315DL-T1-GE3

SI1315DL-T1-GE3
Verfügbare Menge
2 999
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fertig zum Versand
Standort
US
Marke
Vishay Siliconix
Mpn
SI1315DL-T1-GE3
Beschreibung
MOSFET P-CH 8V 0.9A SC70-3 / Trans MOSFET P-CH 8V

Technische Daten: SI1315DL-T1-GE3

Lead Free
Lead Free
RoHS
Compliant
Radiation Hardening
No
REACH SVHC
Yes
Case/Package
SOT-323
Weight
124.596154 mg
Mount
Surface Mount
Number of Terminals
3
Number of Pins
3
Introduction Date
2011-06-10
Lifecycle Status
Obsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date
2018-09-14
Export Control Classification Number (ECCN) Code
EAR99
LTD Date
2019-03-14
Input Capacitance
112 pF
Drain to Source Breakdown Voltage
-8 V
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
400 mW
Power Dissipation
300 mW
Rds On Max
336 mΩ
Threshold Voltage
-400 mV
Min Breakdown Voltage
8 V
Min Operating Temperature
-50 °C
Number of Channels
1
Turn-Off Delay Time
14 ns
Turn-On Delay Time
10 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
8 V
Continuous Drain Current (ID)
900 mA
Element Configuration
Single
Drain to Source Resistance
336 mΩ
Fall Time
8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
Number of Elements
1
Packaging
Cut Tape
Resistance
336 mΩ
Rise Time
15 ns
2 999 Verfügbar

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