MDD3N50GRH
Verfügbare Menge
3 000
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
Magna Chip Semiconductor
Mpn
MDD3N50GRH
Beschreibung
N-Channel MOSFET 500V, 2.8 A, 2.5 OHM Power Field-Effect Transistor
Technische Daten: MDD3N50GRH
RoHS
Compliant
Height
2.39 mm
Length
6.73 mm
Width
6.22 mm
Case/Package
DPAK
Number of Pins
3
Mount
Surface Mount
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 4 months ago)
Continuous Drain Current (ID)
2.8 A
Drain to Source Resistance
2.5 Ω
Element Configuration
Single
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-55 °C
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
Turn-Off Delay Time
33 ns
Input Capacitance
285 pF
Max Power Dissipation
45 W
Turn-On Delay Time
19 ns
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