IXTK22N100L
Verfügbare Menge
20
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
Ixys
Mpn
IXTK22N100L
Datenblatt
Beschreibung
Single N-Channel 1000 V 600 mOhm 700 W Power Mosfet - TO-264
Technische Daten: IXTK22N100L
China RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
REACH SVHC
Yes
RoHS
Compliant
Height
26.16 mm
Length
19.96 mm
Width
5.13 mm
Case/Package
TO-264
Number of Pins
3
Number of Terminals
3
Mount
Through Hole
Continuous Drain Current (ID)
22 A
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
Min Operating Temperature
-55 °C
Turn-Off Delay Time
80 ns
Turn-On Delay Time
36 ns
Drain to Source Breakdown Voltage
1 kV
Fall Time
50 ns
Max Operating Temperature
150 °C
Number of Elements
1
Rds On Max
600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)
1 kV
Element Configuration
Single
Max Power Dissipation
700 W
Power Dissipation
700 W
Drain to Source Resistance
600 mΩ
Input Capacitance
7.05 nF
Min Breakdown Voltage
1 kV
Resistance
600 Ω
Rise Time
35 ns
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