SIR876ADP-T1-GE3
Verfügbare Menge
2 999
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fertig zum Versand
Standort
US
Marke
Vishay
Mpn
SIR876ADP-T1-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Technische Daten: SIR876ADP-T1-GE3
Lead Free
Lead Free
Radiation Hardening
No
REACH SVHC
Yes
RoHS
Compliant
Height
1.17 mm
Case/Package
SOIC
Mount
Surface Mount
Number of Pins
8
Number of Terminals
5
Weight
506.605978 mg
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 3 months ago)
Continuous Drain Current (ID)
40 A
Drain to Source Breakdown Voltage
100 V
Drain to Source Resistance
10.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Element Configuration
Single
Fall Time
16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
Input Capacitance
1.63 nF
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
62.5 W
Manufacturer Package Identifier
S17-0173-Single
Min Breakdown Voltage
100 V
Min Operating Temperature
-55 °C
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Power Dissipation
5 W
Rds On Max
10.8 mΩ
Resistance
14.5 MΩ
Rise Time
16 ns
Threshold Voltage
1.5 V
Turn-Off Delay Time
28 ns
Turn-On Delay Time
11 ns
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