SIR668ADP-T1-RE3
Verfügbare Menge
26 200
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
Vishay
Mpn
SIR668ADP-T1-RE3
Datenblatt
Beschreibung
Transistor MOSFET N-CH 100V 93.6A 8-Pin PowerPAK SO
Technische Daten: SIR668ADP-T1-RE3
REACH SVHC
No
RoHS
Compliant
Height
1.12 mm
Number of Terminals
5
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 3 months ago)
Continuous Drain Current (ID)
93.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage
100 V
Drain to Source Resistance
4.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Max Operating Temperature
150 °C
Manufacturer Package Identifier
S17-0173-Single
Min Breakdown Voltage
100 V
Min Operating Temperature
-55 °C
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Power Dissipation
6.25 W
Turn-Off Delay Time
36 ns
Turn-On Delay Time
21 ns
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