SI7617DN-T1-GE3
Verfügbare Menge
12 665
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
Vishay
Mpn
SI7617DN-T1-GE3
Datenblatt
Beschreibung
P CHANNEL MOSFET, -30V, 35A; Transistor; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -35A; Source
Technische Daten: SI7617DN-T1-GE3
Lead Free
Lead Free
Radiation Hardening
No
REACH SVHC
No
RoHS
Compliant
Height
1.12 mm
Mount
Surface Mount
Number of Pins
8
Number of Terminals
5
Lifecycle Status
NRND (Last Updated: 2 months ago)
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
Element Configuration
Single
Fall Time
11 ns
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
52 W
Min Operating Temperature
-55 °C
Number of Channels
1
Rds On Max
12.3 mΩ
Rise Time
43 ns
Threshold Voltage
-2.5 V
Turn-Off Delay Time
32 ns
Drain to Source Resistance
12.3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
Turn-On Delay Time
11 ns
Input Capacitance
1.8 nF
Continuous Drain Current (ID)
13.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage
-30 V
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Min Breakdown Voltage
30 V
Number of Elements
1
Power Dissipation
3.7 W
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