SI7414DN-T1-E3
Verfügbare Menge
3 000
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fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
Vishay
Mpn
SI7414DN-T1-E3
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Technische Daten: SI7414DN-T1-E3
China RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
REACH SVHC
Yes
RoHS
Compliant
Radiation Hardening
No
Height
1.12 mm
Length
3.05 mm
Width
3.05 mm
Number of Terminals
5
Number of Pins
8
Mount
Surface Mount
Lifecycle Status
Obsolete (Last Updated: 3 months ago)
Continuous Drain Current (ID)
5.6 A
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
Min Breakdown Voltage
60 V
Number of Elements
1
Resistance
25 mΩ
Turn-Off Delay Time
30 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
1.5 W
Min Operating Temperature
-55 °C
Number of Channels
1
Rds On Max
25 mΩ
Drain to Source Breakdown Voltage
60 V
Drain to Source Resistance
25 mΩ
Manufacturer Package Identifier
SI7414DN-T1-E3
Nominal Vgs
3 V
Power Dissipation
1.5 W
Rise Time
12 ns
Turn-On Delay Time
15 ns
Element Configuration
Single
Fall Time
12 ns
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Threshold Voltage
3 V
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