SI2300DS-T1-GE3
Verfügbare Menge
3 727
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
Vishay
Mpn
SI2300DS-T1-GE3
Datenblatt
Beschreibung
Single N-Channel 30 V 68 mO 3 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
Technische Daten: SI2300DS-T1-GE3
Radiation Hardening
No
REACH SVHC
Yes
RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
China RoHS
Compliant
Height
1.12 mm
Number of Terminals
3
Number of Pins
3
Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
Contact Plating
Tin
Weight
1.437803 g
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 3 months ago)
Element Configuration
Single
Fall Time
11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
Max Power Dissipation
1.7 W
Min Operating Temperature
-55 °C
Number of Elements
1
Drain to Source Resistance
68 mΩ
Input Capacitance
320 pF
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Turn-On Delay Time
5 ns
Continuous Drain Current (ID)
3.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage
30 V
Packaging
Digi-Reel®
Power Dissipation
1.1 W
Rds On Max
68 mΩ
Resistance
68 MΩ
Rise Time
15 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Max Operating Temperature
150 °C
Min Breakdown Voltage
30 V
Number of Channels
1
Threshold Voltage
600 mV
Turn-Off Delay Time
15 ns
Andere Komponenten von Vishay
Unsere Web-Plattform unterstützt OEM- und EMS-Unternehmen dabei, ihre überschüssigen Lagerbestände weltweit zu verkaufen und gleichzeitig den potenziellen Käufern beste Preise und Qualität zu bieten.
AT/USDSupport
Support
Go green
Go green
AT/USD