STGD6NC60HDT4
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225
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Standort
AT
Marke
STMicroelectronics
Mpn
STGD6NC60HDT4
Datenblatt
Beschreibung
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Technische Daten: STGD6NC60HDT4
China RoHS
Non-Compliant
Radiation Hardening
No
Lead Free
Lead Free
RoHS
Compliant
REACH SVHC
No
Height
2.4 mm
Length
6.6 mm
Width
6.2 mm
Mount
Surface Mount
Number of Terminals
2
Case/Package
DPAK
Number of Pins
3
Weight
350.003213 mg
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 4 weeks ago)
Collector Emitter Breakdown Voltage
600 V
Forward Voltage
1.6 V
Max Breakdown Voltage
600 V
Packaging
Tape and Reel
Voltage Rating (DC)
600 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)
600 V
Forward Current
10 A
Max Collector Current
15 A
Power Dissipation
50 W
Turn-On Delay Time
12 ns
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)
600 V
Reverse Recovery Time
21 ns
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75 V
Continuous Collector Current
6 A
Current Rating
15 A
Element Configuration
Single
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
56 W
Min Operating Temperature
-55 °C
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
40 ns
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