STD6N95K5
Verfügbare Menge
2 850
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fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
STMicroelectronics
Mpn
STD6N95K5
Datenblatt
Beschreibung
N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 9 A Zener-protected SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in DPAK package
Technische Daten: STD6N95K5
China RoHS
Non-Compliant
Lead Free
Lead Free
Radiation Hardening
No
REACH SVHC
No
RoHS
Compliant
Case/Package
DPAK
Contact Plating
Tin
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Number of Terminals
2
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 4 months ago)
Continuous Drain Current (ID)
9 A
Drain to Source Breakdown Voltage
950 V
Drain to Source Resistance
1.25 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)
950 V
Fall Time
21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
Input Capacitance
450 pF
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
90 W
Min Breakdown Voltage
950 V
Min Operating Temperature
-55 °C
Nominal Vgs
4 V
Number of Elements
1
Packaging
Digi-Reel®
Power Dissipation
90 W
Rds On Max
1.25 Ω
Resistance
1.25 Ω
Rise Time
12 ns
Threshold Voltage
4 V
Turn-Off Delay Time
33 ns
Turn-On Delay Time
12 ns
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