STD1NB80T4
Verfügbare Menge
482
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
STMicroelectronics
Mpn
STD1NB80T4
Beschreibung
Trans MOSFET N-CH 800V 1A
Technische Daten: STD1NB80T4
China RoHS
Non-Compliant
REACH SVHC
No
RoHS
Compliant
Case/Package
TO-252
Mount
Surface Mount
Number of Terminals
2
Lifecycle Status
Obsolete (Last Updated: 3 months ago)
Continuous Drain Current (ID)
1 A
Drain to Source Breakdown Voltage
800 V
Drain to Source Resistance
20 Ω
Element Configuration
Single
Fall Time
15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
50 W
Min Breakdown Voltage
800 V
Min Operating Temperature
-65 °C
Number of Elements
1
Power Dissipation
50 W
Rise Time
10 ns
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