STD13NM60N
Verfügbare Menge
730
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fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
STMicroelectronics
Mpn
STD13NM60N
Datenblatt
Beschreibung
N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in DPAK package
Technische Daten: STD13NM60N
China RoHS
Non-Compliant
Lead Free
Lead Free
RoHS
Compliant
Radiation Hardening
No
REACH SVHC
No
Height
2.63 mm
Length
6.6 mm
Width
6.2 mm
Case/Package
DPAK
Number of Terminals
2
Number of Pins
3
Mount
Surface Mount
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 2 months ago)
Continuous Drain Current (ID)
11 A
Drain to Source Breakdown Voltage
600 V
Fall Time
10 ns
Number of Channels
1
Rds On Max
360 mΩ
Resistance
360 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Element Configuration
Single
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
90 W
Packaging
Tape and Reel
Rise Time
8 ns
Turn-On Delay Time
3 ns
Drain to Source Resistance
360 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
Number of Elements
1
Power Dissipation
90 W
Threshold Voltage
3 V
Turn-Off Delay Time
30 ns
Input Capacitance
790 pF
Min Breakdown Voltage
600 V
Min Operating Temperature
-55 °C
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