STD10NM60N
Verfügbare Menge
750
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
STMicroelectronics
Mpn
STD10NM60N
Datenblatt
Beschreibung
N-channel 600 V, 0.53 Ohm typ., 10 A, MDmesh II Power MOSFET in DPAK package
Technische Daten: STD10NM60N
China RoHS
Non-Compliant
Radiation Hardening
No
REACH SVHC
No
RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
Height
2.4 mm
Length
6.6 mm
Width
6.2 mm
Number of Pins
3
Case/Package
DPAK
Number of Terminals
2
Mount
Surface Mount
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 2 months ago)
Drain to Source Resistance
550 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Fall Time
15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
70 W
Min Breakdown Voltage
600 V
Packaging
Tape and Reel
Continuous Drain Current (ID)
8 A
Drain to Source Breakdown Voltage
600 V
Input Capacitance
540 pF
Turn-Off Delay Time
32 ns
Threshold Voltage
3 V
Nominal Vgs
3 V
Power Dissipation
70 W
Rds On Max
550 mΩ
Turn-On Delay Time
10 ns
Element Configuration
Single
Min Operating Temperature
-55 °C
Number of Elements
1
Resistance
600 mΩ
Rise Time
12 ns
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