STB120NF10T4
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167
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Standort
US
Marke
STMicroelectronics
Mpn
STB120NF10T4
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Technische Daten: STB120NF10T4
China RoHS
Non-Compliant
REACH SVHC
No
Radiation Hardening
No
RoHS
Compliant
Width
9.35 mm
Height
4.6 mm
Length
10.4 mm
Contact Plating
Tin
Case/Package
D2PAK
Mount
Surface Mount
Number of Terminals
2
Number of Pins
3
Weight
13.607771 g
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 4 months ago)
Max Operating Temperature
175 °C
Current Rating
120 A
Drain to Source Breakdown Voltage
100 V
Dual Supply Voltage
100 V
Nominal Vgs
4 V
Rds On Max
10.5 mΩ
Rise Time
90 ns
Threshold Voltage
4 V
Turn-On Delay Time
25 ns
Continuous Drain Current (ID)
120 A
Drain to Source Resistance
10.5 mΩ
Element Configuration
Single
Min Breakdown Voltage
100 V
Min Operating Temperature
-55 °C
Number of Elements
1
Packaging
Tape and Reel
Power Dissipation
312 W
Voltage Rating (DC)
100 V
Fall Time
68 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
Input Capacitance
5.2 nF
Termination
SMD/SMT
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Max Power Dissipation
312 W
Resistance
10.5 mΩ
Turn-Off Delay Time
132 ns
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