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    2N2222A

    2N2222A
    Verfügbare Menge
    58
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    Standort
    AT
    Marke
    STMicroelectronics
    Mpn
    2N2222A
    Datenblatt
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    Beschreibung
    Bulk Through Hole Switch Single Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 150mA 10V 10nA ICBO 500mW 300MHz

    Technische Daten: 2N2222A

    RoHS
    Compliant
    Height
    5.33 mm
    Case/Package
    TO-18
    Projected EOL Date
    2049-02-05
    Country of Origin
    PHL, USA, PHL
    Lifecycle Status
    Production (Last Updated: 1 day ago)
    Collector Base Voltage (VCBO)
    75 V
    Collector Emitter Breakdown Voltage
    50 V
    Collector Emitter Voltage (VCEO)
    50 V
    Emitter Base Voltage (VEBO)
    6 V
    hFE Min
    100
    Max Collector Current
    800 mA
    Max Junction Temperature (Tj)
    200 °C
    Max Operating Temperature
    200 °C
    Min Operating Temperature
    -65 °C
    Number of Elements
    1
    Power Dissipation
    500 mW
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