2N2222A
Verfügbare Menge
58
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
STMicroelectronics
Mpn
2N2222A
Datenblatt
Beschreibung
Bulk Through Hole Switch Single Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 150mA 10V 10nA ICBO 500mW 300MHz
Technische Daten: 2N2222A
RoHS
Compliant
Height
5.33 mm
Case/Package
TO-18
Projected EOL Date
2049-02-05
Country of Origin
PHL, USA, PHL
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 1 day ago)
Collector Base Voltage (VCBO)
75 V
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)
50 V
Emitter Base Voltage (VEBO)
6 V
hFE Min
100
Max Collector Current
800 mA
Max Junction Temperature (Tj)
200 °C
Max Operating Temperature
200 °C
Min Operating Temperature
-65 °C
Number of Elements
1
Power Dissipation
500 mW
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