Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Technische Daten: BC846S
RoHS
Non-Compliant
hFE Min
110
Polarity
NPN
Packaging
Cut Tape
Power Dissipation
300 mW
Number of Elements
2
Max Collector Current
100 mA
Max Operating Temperature
150 °C
Emitter Base Voltage (VEBO)
6 V
Collector Base Voltage (VCBO)
80 V
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Ambient Temperature Range High
150 °C
Collector Emitter Voltage (VCEO)
65 V
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
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