BSH203,215
Verfügbare Menge
2,865
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
Österreich
Marke
Nexperia
Mpn
BSH203,215
Datenblatt
Beschreibung
BSH203 Sereies 30 V 1.65 Ohm 2.2 nC 417 mW P-Channel Silicon SMT MOSFET - SOT-23
Technische Daten: BSH203,215
RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
REACH SVHC
No SVHC
Radiation Hardening
No
Fall Time
4.5 ns
Packaging
Tape & Reel
Rise Time
4.5 ns
Rds On Max
900 mΩ
Resistance
900 mΩ
Nominal Vgs
-680 mV
Termination
SMD/SMT
Input Capacitance
110 pF
Power Dissipation
417 mW
Threshold Voltage
-680 mV
Number of Elements
1
Turn-On Delay Time
2 ns
Dual Supply Voltage
-30 V
Turn-Off Delay Time
45 ns
Element Configuration
Single
Max Power Dissipation
417 mW
Max Dual Supply Voltage
-30 V
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-55 °C
Drain to Source Resistance
900 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
Continuous Drain Current (ID)
470 mA
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
Drain to Source Breakdown Voltage
30 V
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