BCP56-10,115
Verfügbare Menge
957
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
Nexperia
Mpn
BCP56-10,115
Datenblatt
Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 180MHz 650 mW Surface Mount SOT-223
Technische Daten: BCP56-10,115
China RoHS
Compliant
Radiation Hardening
No
Lead Free
Lead Free
RoHS
Compliant
REACH SVHC
Yes
Width
3.7 mm
Length
6.7 mm
Height
1.7 mm
Contact Plating
Tin
Number of Pins
4
Mount
Surface Mount
Case/Package
SC
Number of Terminals
4
Weight
4.535924 g
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 1 year ago)
Manufacturer Lifecycle Status
RELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 1 year ago)
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
Max Collector Current
1 A
Max Frequency
180 MHz
Min Operating Temperature
-55 °C
Number of Elements
1
Frequency
180 MHz
Max Breakdown Voltage
80 V
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
1.35 W
Transition Frequency
180 MHz
Element Configuration
Single
Emitter Base Voltage (VEBO)
5 V
Gain Bandwidth Product
180 MHz
hFE Min
63
Collector Base Voltage (VCBO)
100 V
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)
80 V
Polarity
NPN
Power Dissipation
1.5 W
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