PUMD12
Verfügbare Menge
2 805
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
NXP Semiconductors
Mpn
PUMD12
Datenblatt
Beschreibung
PUMD12 - NPN/PNP resistor-equipped double transistor; R1 = 47 kΩ, R2 = 47 kΩ
Technische Daten: PUMD12
China RoHS
Compliant
REACH SVHC
Yes
RoHS
Compliant
Height
1 mm
Length
2.2 mm
Width
1.35 mm
Case/Package
SOT-363
Contact Plating
Tin
Mount
Surface Mount
Number of Pins
6
Number of Terminals
6
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 4 months ago)
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
Collector Emitter Saturation Voltage
150 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)
50 V
Current
1 A
Emitter Base Voltage (VEBO)
10 V
hFE Min
80
Max Collector Current
100 mA
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
200 mW
Min Operating Temperature
-65 °C
Number of Elements
2
Packaging
Cut Tape
Polarity
NPN, PNP
Power Dissipation
200 mW
Voltage
50 V
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