MMBT3906
Verfügbare Menge
3 000
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
NXP Semiconductors
Mpn
MMBT3906
Datenblatt
Beschreibung
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V
Technische Daten: MMBT3906
China RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
Radiation Hardening
No
REACH SVHC
Yes
RoHS
Compliant
Height
1.2 mm
Length
6.35 mm
Width
6.35 mm
Case/Package
SOT-23
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Number of Terminals
3
Weight
30 mg
Lifecycle Status
Obsolete (Last Updated: 11 months ago)
Manufacturer Lifecycle Status
OBSOLETE (Last Updated: 11 months ago)
Voltage Rating (DC)
-40 V
Collector Base Voltage (VCBO)
-40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage
-40 V
Collector Emitter Saturation Voltage
-400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)
40 V
Current Rating
-200 mA
Element Configuration
Single
Emitter Base Voltage (VEBO)
-5 V
Frequency
250 MHz
Gain Bandwidth Product
250 MHz
hFE Min
30
Max Breakdown Voltage
40 V
Max Collector Current
200 mA
Max Frequency
250 MHz
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
225 mW
Min Operating Temperature
-55 °C
Number of Elements
1
Packaging
Cut Tape
Polarity
PNP
Power Dissipation
350 mW
Transition Frequency
250 MHz
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