BC857C
Verfügbare Menge
8 402
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
Österreich
Marke
NXP Semiconductors
Mpn
BC857C
Datenblatt
Beschreibung
Bipolar junction transistor, PNP, -100 mA, -45 ## Fehler ##, SMD, SOT-23, BC857C, 215
Technische Daten: BC857C
RoHS
Non-Compliant
hFE Min
420
Polarity
PNP
Packaging
Cut Tape
Power Dissipation
250 mW
Number of Elements
1
Max Collector Current
-100 mA
Max Operating Temperature
150 °C
Emitter Base Voltage (VEBO)
-5 V
Collector Base Voltage (VCBO)
-50 V
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Ambient Temperature Range High
150 °C
Collector Emitter Voltage (VCEO)
-45 V
Collector Emitter Saturation Voltage
-250 mV
Andere Komponenten von NXP Semiconductors
Unsere Web-Plattform unterstützt OEM- und EMS-Unternehmen dabei, ihre überschüssigen Lagerbestände weltweit zu verkaufen und gleichzeitig den potenziellen Käufern beste Preise und Qualität zu bieten.
AT/USDSupport
Support
Go green
Go green
AT/USD