2N7002
Verfügbare Menge
4 008
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
NXP Semiconductors
Mpn
2N7002
Datenblatt
Beschreibung
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Technische Daten: 2N7002
China RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
Radiation Hardening
No
REACH SVHC
Yes
RoHS
Compliant
Case/Package
SOT-23
Contact Plating
Tin
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Number of Terminals
3
Country of Origin
Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) Code
EAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code
8541.21.00.95
Introduction Date
1991-09-30
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 3 weeks ago)
Continuous Drain Current (ID)
115 mA
Current
3 A
Current Rating
115 mA
Drain to Source Breakdown Voltage
60 V
Drain to Source Resistance
5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Dual Supply Voltage
60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
200 mW
Min Breakdown Voltage
60 V
Min Operating Temperature
-65 °C
Nominal Vgs
2 V
Number of Elements
1
Power Dissipation
830 mW
Termination
SMD/SMT
Threshold Voltage
2 V
Voltage
60 V
Voltage Rating (DC)
60 V
Andere Komponenten von NXP Semiconductors
Unsere Web-Plattform unterstützt OEM- und EMS-Unternehmen dabei, ihre überschüssigen Lagerbestände weltweit zu verkaufen und gleichzeitig den potenziellen Käufern beste Preise und Qualität zu bieten.
AT/USDSupport
Support
Go green
Go green
AT/USD