SPP20N60S5
Verfügbare Menge
2 121
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
Infineon
Mpn
SPP20N60S5
Datenblatt
Beschreibung
Single N-Channel 600 V 190 mOhm 79 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-220-3, PG-TO220-3, RoHS
Technische Daten: SPP20N60S5
RoHS
Compliant
Lead Free
Contains Lead
REACH SVHC
No SVHC
Halogen Free
Halogen Free
Radiation Hardening
No
Fall Time
30 ns
Rise Time
25 ns
Rds On Max
190 mΩ
Nominal Vgs
4.5 V
Termination
Through Hole
Current Rating
20 A
Package Quantity
500
Input Capacitance
3 nF
Power Dissipation
208 W
Threshold Voltage
4.5 V
Number of Elements
1
Turn-On Delay Time
120 ns
Dual Supply Voltage
600 V
On-State Resistance
190 mΩ
Turn-Off Delay Time
140 ns
Voltage Rating (DC)
650 V
Element Configuration
Single
Max Power Dissipation
208 W
Max Dual Supply Voltage
600 V
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-55 °C
Drain to Source Resistance
190 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
Continuous Drain Current (ID)
20 A
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Drain to Source Breakdown Voltage
600 V
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