SPP11N60C3
Verfügbare Menge
13 500
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
Infineon
Mpn
SPP11N60C3
Datenblatt
Beschreibung
Trans MOSFET N-CH 600V 11A
Technische Daten: SPP11N60C3
RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
REACH SVHC
No SVHC
Halogen Free
Halogen Free
Radiation Hardening
No
Fall Time
5 ns
Rise Time
5 ns
Rds On Max
380 mΩ
Current Rating
11 A
Package Quantity
500
Input Capacitance
1.2 nF
Power Dissipation
125 W
Number of Elements
1
Turn-On Delay Time
10 ns
On-State Resistance
380 mΩ
Turn-Off Delay Time
44 ns
Voltage Rating (DC)
650 V
Max Power Dissipation
125 W
Max Dual Supply Voltage
600 V
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-55 °C
Drain to Source Resistance
380 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
Continuous Drain Current (ID)
11 A
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Drain to Source Breakdown Voltage
600 V
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