SPD02N80C3
Verfügbare Menge
606
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
Infineon
Mpn
SPD02N80C3
Datenblatt
Beschreibung
Single N-Channel 800 V 2.7 mOhm 16 nC CoolMOS Power Mosfet - PG-TO252-3
Technische Daten: SPD02N80C3
RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
Fall Time
18 ns
Packaging
Digi-Reel®
Rise Time
15 ns
Rds On Max
2.7 Ω
Current Rating
2 A
Package Quantity
2500
Input Capacitance
290 pF
Power Dissipation
42 W
Turn-On Delay Time
25 ns
On-State Resistance
2.7 Ω
Turn-Off Delay Time
65 ns
Voltage Rating (DC)
800 V
Max Power Dissipation
42 W
Max Dual Supply Voltage
800 V
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-55 °C
Drain to Source Resistance
2.4 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
Continuous Drain Current (ID)
2 A
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Andere Komponenten von Infineon
Unsere Web-Plattform unterstützt OEM- und EMS-Unternehmen dabei, ihre überschüssigen Lagerbestände weltweit zu verkaufen und gleichzeitig den potenziellen Käufern beste Preise und Qualität zu bieten.
AT/USDSupport
Support
Go green
Go green
AT/USD