IRF6648TRPBF
Verfügbare Menge
4 306
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fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
Infineon
Mpn
IRF6648TRPBF
Datenblatt
Beschreibung
Single N-Channel 60 V 7 mOhm 50 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
Technische Daten: IRF6648TRPBF
China RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
Radiation Hardening
No
REACH SVHC
Yes
RoHS
Compliant
Height
700 µm
Length
5.45 mm
Width
5.05 mm
Mount
Surface Mount
Number of Pins
5
Number of Terminals
3
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 2 months ago)
Continuous Drain Current (ID)
86 A
Current Rating
86 A
Drain to Source Breakdown Voltage
60 V
Drain to Source Resistance
7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Fall Time
13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
Input Capacitance
2.12 nF
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
2.8 W
Manufacturer Package Identifier
MG-WDSON-5
Min Breakdown Voltage
60 V
Min Operating Temperature
-40 °C
Number of Channels
1
Number of Elements
1
On-State Resistance
7 mΩ
Package Quantity
4800
Packaging
Tape & Reel
Power Dissipation
2.8 W
Rds On Max
7 mΩ
Rise Time
29 ns
Threshold Voltage
4 V
Turn-Off Delay Time
28 ns
Turn-On Delay Time
16 ns
Voltage Rating (DC)
60 V
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