IPD80R2K8CEATMA1
Verfügbare Menge
2 500
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
Infineon
Mpn
IPD80R2K8CEATMA1
Datenblatt
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Technische Daten: IPD80R2K8CEATMA1
China RoHS
Non-Compliant
Lead Free
Lead Free
REACH SVHC
No
RoHS
Compliant
Case/Package
TO-252-3
Number of Pins
3
Mount
Surface Mount
Number of Terminals
2
Weight
3.949996 g
Lifecycle Status
NRND (Last Updated: 4 weeks ago)
Drain to Source Resistance
2.8 Ω
Max Dual Supply Voltage
800 V
On-State Resistance
2.8 Ω
Power Dissipation
42 W
Turn-On Delay Time
25 ns
Input Capacitance
290 pF
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
42 W
Min Breakdown Voltage
800 V
Min Operating Temperature
-55 °C
Number of Channels
1
Packaging
Tape & Reel
Fall Time
18 ns
Package Quantity
2500
Rise Time
15 ns
Continuous Drain Current (ID)
1.9 A
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Element Configuration
Single
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
Number of Elements
1
Rds On Max
2.8 Ω
Turn-Off Delay Time
72 ns
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