IPD60R800CE
Verfügbare Menge
4 791
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
Österreich
Marke
Infineon
Mpn
IPD60R800CE
Datenblatt
Beschreibung
Single N-Channel 600 V 800 mOhm 17.2 nC CoolMOS Power Mosfet - DPAK, PG-TO252-3, RoHS
Technische Daten: IPD60R800CE
RoHS
Non-Compliant
Lead Free
Contains Lead
Halogen Free
Halogen Free
Packaging
Tape & Reel
Package Quantity
2500
Power Dissipation
48 W
Number of Channels
1
Turn-On Delay Time
9 ns
On-State Resistance
800 mΩ
Turn-Off Delay Time
50 ns
Max Dual Supply Voltage
600 V
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-40 °C
Drain to Source Resistance
680 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
Continuous Drain Current (ID)
8.4 A
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Drain to Source Breakdown Voltage
600 V
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