IPB60R180P7ATMA1
Verfügbare Menge
34 000
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
Infineon
Mpn
IPB60R180P7ATMA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
Technische Daten: IPB60R180P7ATMA1
REACH SVHC
No
China RoHS
Non-Compliant
RoHS
Compliant
Height
4.7 mm
Number of Terminals
2
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 5 months ago)
Drain to Source Breakdown Voltage
600 V
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-55 °C
Number of Elements
1
Continuous Drain Current (ID)
18 A
Input Capacitance
1.081 nF
Max Power Dissipation
72 W
Number of Channels
1
Packaging
Tape & Reel
Turn-On Delay Time
14 ns
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Package Quantity
1000
Power Dissipation
72 W
Turn-Off Delay Time
85 ns
Drain to Source Resistance
180 mΩ
Min Breakdown Voltage
600 V
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