BSP171P H6327
Verfügbare Menge
1 000
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
Infineon
Mpn
BSP171P H6327
Datenblatt
Beschreibung
Single P-Channel 60 V 0.3 Ohm 20 nC SIPMOS® Power Mosfet - SOT-223
Technische Daten: BSP171P H6327
REACH SVHC
Yes
RoHS
Compliant
China RoHS
Compliant
Radiation Hardening
No
Height
1.8 mm
Number of Terminals
4
Case/Package
SOT-223-3
Contact Plating
Tin
Mount
Surface Mount
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 3 months ago)
Current
19 A
Drain to Source Breakdown Voltage
-60 V
Fall Time
87 ns
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Packaging
Tape & Reel
Turn-Off Delay Time
208 ns
Turn-On Delay Time
6 ns
Voltage
60 V
Drain to Source Resistance
300 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)
-60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
Max Operating Temperature
150 °C
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Continuous Drain Current (ID)
1.9 A
Manufacturer Package Identifier
PG-SOT223-4
Min Breakdown Voltage
60 V
Min Operating Temperature
-55 °C
Power Dissipation
1.8 W
Rise Time
25 ns
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