BSP171P H6327
Verfügbare Menge
1,000
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
Österreich
Marke
Infineon
Mpn
BSP171P H6327
Datenblatt
Beschreibung
Single P-Channel 60 V 0.3 Ohm 20 nC SIPMOS® Power Mosfet - SOT-223
Technische Daten: BSP171P H6327
RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
REACH SVHC
No SVHC
Halogen Free
Halogen Free
Radiation Hardening
No
Current
19 A
Voltage
60 V
Fall Time
87 ns
Packaging
Tape & Reel
Rise Time
25 ns
Rds On Max
300 mΩ
Nominal Vgs
1.5 V
Termination
SMD/SMT
Package Quantity
1000
Input Capacitance
365 pF
Power Dissipation
1.8 W
Threshold Voltage
1.5 V
Number of Elements
1
Turn-On Delay Time
6 ns
Dual Supply Voltage
-60 V
On-State Resistance
300 mΩ
Turn-Off Delay Time
208 ns
Element Configuration
Single
Max Power Dissipation
1.8 W
Max Dual Supply Voltage
-60 V
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-55 °C
Drain to Source Resistance
300 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
Continuous Drain Current (ID)
1.9 A
Drain to Source Voltage (Vdss)
-60 V
Drain to Source Breakdown Voltage
60 V
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