BSO615NGXUMA1
Verfügbare Menge
12 500
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
Infineon
Mpn
BSO615NGXUMA1
Datenblatt
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 8-SOIC
Technische Daten: BSO615NGXUMA1
China RoHS
Compliant
REACH SVHC
Yes
RoHS
Compliant
Height
1.75 mm
Lifecycle Status
Obsolete (Last Updated: 4 months ago)
Continuous Drain Current (ID)
2.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage
60 V
Drain to Source Resistance
120 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-55 °C
Number of Channels
2
Power Dissipation
2 W
Turn-Off Delay Time
20 ns
Turn-On Delay Time
12 ns
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