BFR106E6327HTSA1
Verfügbare Menge
18 000
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
Infineon
Mpn
BFR106E6327HTSA1
Datenblatt
Beschreibung
Bipolar junction transistor, NPN, 210 mA, 16 V, SMD, SOT-23, BFR106E6327
Technische Daten: BFR106E6327HTSA1
China RoHS
Compliant
Halogen Free
Not Halogen Free
Lead Free
Lead Free
REACH SVHC
Yes
RoHS
Compliant
Height
1.1 mm
Length
2.9 mm
Width
1.3 mm
Case/Package
SOT
Contact Plating
Tin
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Number of Terminals
3
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 5 months ago)
Collector Base Voltage (VCBO)
20 V
Collector Emitter Breakdown Voltage
15 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)
15 V
Current Rating
210 mA
Element Configuration
Single
Emitter Base Voltage (VEBO)
3 V
Frequency
5 GHz
Gain
13 dB
hFE Min
25
Max Breakdown Voltage
12 V
Max Collector Current
100 mA
Max Frequency
5 GHz
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
350 mW
Min Operating Temperature
-65 °C
Noise Figure
1.8 dB
Number of Elements
1
Package Quantity
3000
Packaging
Tape & Reel
Polarity
NPN
Power Dissipation
700 mW
Power Gain
13 dB
Transition Frequency
5 GHz
Voltage Rating (DC)
15 V
Andere Komponenten von Infineon
Unsere Web-Plattform unterstützt OEM- und EMS-Unternehmen dabei, ihre überschüssigen Lagerbestände weltweit zu verkaufen und gleichzeitig den potenziellen Käufern beste Preise und Qualität zu bieten.
AT/USDSupport
Support
Go green
Go green
AT/USD